受惠于全球智能手机的持续热销，DRAM产业在过去的一年获利颇丰，TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange预估2015年的DRAM总产值将达512亿美元规模，年成长为12%，为市场稳定增长获利的一年。其中，2014年移动内存占整体DRAM产出的36%，2015年将有机会突破40%大关。

2015年第一季度，受DRAM合约均价下跌影响，加上笔记本电脑市场与智能手机步入传统淡季，因此全球DRAM产业第一季总产值衰退达7.5%，营收仅120亿美元。进入第二季度，台湾两大DRAM厂南亚科和华亚科均保守预期，认为DRAM售价可能继续下滑。华亚科财务长沈道邦认为：“Q2移动DRAM价格将缓跌，平均销售价格可能比Q1更差。”来自南亚科资深副总李培瑛表示：“预期需求依然热络，相比Q1的微幅供过于求，Q2的DRAM整体市场将恢复平稳，第三季度供不应求缺口不排除扩大，全年来看还是小幅供不应求。”

DRAM产业走过了景气谷底，加上需求的持续保障，DRAM厂重新开始考虑建厂，从去年下半年开始陆续启动扩建新厂，各家产能竞赛再起，并稳步升级工艺。今年以来，中国政府积极扶持自有DRAM产业，各项政策与收购动作浮上台面，搅局这一竞争格局相当稳定的市场。

三星与SK海力士不约而同在2014年宣布扩建新厂的消息，产能竞赛再起的传闻甚嚣尘上。但事实上，三星与SK海力士都将依据市场需求动态调整产能，三星在扩建Line17的同时，Line16 DRAM产能已悄悄缩减并归还给NAND事业部使用。而SK海力士M14预计在明年第四季才有少量投片，较大规模的投片将在2016年才会浮现。美光也启动台湾R2厂部分空间。

台资厂商的产能扩充相对谨慎，扩厂步伐步步为营，以避免过去失控性扩张。南亚科总经理高启全强调，此次投资400亿元台币建厂，只是为了月产能维持在6万片规模，原先构想将5~6万片都升级到20nm，但是资金需求量剧增至600亿台币而将投资规模缩减。华亚科也启动美亚厂，维持现有产量。

DRAM厂的工艺升级与产品比重分配，也将影响供需、价格。韩系DRAM厂25nm工艺在2014年下半年已迈入成熟期，无论良率与投片规模都成为DRAM主流规格。至于20nm工艺，三星已进入验证阶段，良率表现稳健，预计年末产出比例将逼近60%，仍是DRAM厂中的技术领先者。SK海力士预计在明年第二季初进入市场，营收虽然受到价格下滑而减少，但工艺升级25nm所带来成本降低，依然让SK海力士有着稳健的获利。美光集团因为不少产能比重还在30nm工艺以下，20nm工艺升级也不如预期。

台系厂商部分，南亚科目前在30nm微缩工艺顺利导入，预计产出年末将超过50%，成本下降同时预计获利也会持稳，20nm工艺预计明年才有机会导入量产行列。力晶受到标准型内存价格下滑影响，营收衰退7.9%，但25nm工艺已进入试产阶段，最快年末可以导入量产。华邦由于无标准型内存产品产出，多以利基型内存与移动内存为主，加上整体产能量满载，营收仅小幅衰退1.3%。

此外，在智能手机市场不断扩大的同时，2015年移动内存市占也逼近全球市场的40%，相较于标准型内存27%的占比，移动内存已跃升全球DRAM市场主流产品。从移动内存做观察，2015年主流规格仍是LPDDR3，产出量达60%以上，而新规格LPDDR4将首度应用在旗舰智能手机机种，无论省电机制与频率更胜LPDDR3，预计2015年市占率将达到15%。

三星半导体与SK海力士今年第一季度自有品牌内存市占率各为43%与27%，韩系厂商合计稳占全球市场七成市占，而美系厂商掌握将近22.5%，台系厂商瓜分剩余的5.4%。目前，三巨头垄断格局未改，市占率的饼图分布轻易不会改变，除非有新竞争者加入。

与此同时，DRAMeXchange统计显示，2014年中国市场的DRAM消化量金额为102亿美金，占全球营业额约20%。其中移动内存在中国的营业额更达到56亿美金，占中国市场总金额的55%；标准型内存与服务器内存也都分占中国DRAM的19%与11%。而中国笔记本电脑出货达2500万台，占全球14%；桌面计算机亦有3200万台，占全球25%，也显示出中国市场强劲的消费潜力。DRAMeXchange指出，中国DRAM市场规模已达二座100K投片规模的半导体厂，往后的电子产品对内存的需求只会越来越大，潜在产值超过百亿美元之上。